公共基本放大器

在本教程中，我们将学习BJT配置为公共基本放大器。我们将看到公共基本放大器的不同特性，如它的电压增益，电流增益，输入和输出电阻等。

介绍

双极结晶体管或简称BJT是一种三端半导体器件与交替层的n和p型半导体材料。与晶体管的三个区域相对应的三个端子叫做发射极、基极和集电极。

基于区域的配置，BJT可以是NPN类型的PNP类型。由于电子和孔都充当电流载体，因此使用术语“双极”。

基本上，BJT可以被配置为放大器或开关。如果BJT被配置为放大器，在输入端施加的电信号的幅值在输出端增加几倍。

配置BJT作为交换机是晶体管的常见和常用应用之一。通过在截止和饱和区域中操作晶体管，可以使用晶体管实现电子开关。

公共基础配置

晶体管可以以三种方式配置为二端口。它们是“公用发射极连接”、“公用集电极连接”和“公用基连接”。在公用基配置中，终端是输入和输出的公用点。

以下图像显示了公共基础配置中的NPN和PNP晶体管。无论晶体管的类型如何，公共基础配置中的基座端子始终处于地电位。

在公共基础配置中，输入变量是发射极限I_E.并基于发射极电压V_是。同样，输出变量是收集器电流i_C和集电极电压V的基础_CB.。

为了充分描述像公基放大器一样的公基配置的特性，你需要两套特性。

• 输入特性（AKA驱动点或传输特性）
• 输出特性(或集电极特性)

输入特性将涉及输入变量即发射极限I._E.并基于发射极电压V_是虽然输出变量v_CB.保持不变。

来到输出特征，它们将与输出变量相关联I.集电流电流i_C并基于集电极电压v_CB.虽然输入变量发射极限I_E.保持不变。

输出特性为我们提供了晶体管的三个操作区域的图片，即截止，有效和饱和度。

公共基本放大器

放大器是电子电路，其增加了电信号的幅度。来自电源的电力用于增加信号的幅度。放大器的增益是确定放大器提供的放大量的量。

一个简单的放大器电路可以使用单个晶体管（BJT或FET）以及一些无源元件设计。用于BJT的单个晶体管放大器具有三个配置。他们是：

• 公共发射器放大器
• 公共集电极放大器
• 公共基本放大器

本教程的重点是公共基础放大器及其基本电路以及它的性能特性，即电压增益、电流增益、输入电阻和输出电阻。

典型的公共基本放大器具有以下拓扑结构。

• 输入在BJT的发射极处给出。
• 输出来自BJT的收集器。
• 输入和输出共用的基本端子通常连接到地。

共基放大电路

以下图像显示了具有分压器偏置配置的典型公共基础放大器电路。

BJT的底座是公共端子，由于电容器在交流地。输入信号通过电容耦合传递给发射极。输出在集电极处进行，负载电容耦合到集电极。

公共基本放大器的特点

关于晶体管AC模型的R参数解释了公共基本放大器的所有特性。或者，您可以使用H参数。

为了确定特征，我们需要构建公共基本放大器的AC等效模型。以下图像显示相同。

电压增益

CB放大器的电压增益来自发射器（输入）到收集器（输出）给出

一种_V.= Vout / Vin = Vc / Ve = Ic Rc / Ie (r 'e || r_E.）≈IERC/ IE（r'e || r_E.的）

假设R_E.>> r'e，然后是_V.≈RC/ r'e

这里，Rc = R_C||R._L.

r'e =交流发射极电阻

公共基本放大器的电压增益非常高，没有相位反转。

电流增益

CB放大器的电流增益是输出电流除以输入电流。从AC等效模式，IC是输出电流，即IE是输入电流。

由于IC≈IE，电流增益AI≈1。

输入电阻

输入电阻是观察发射极的等效电阻。它由

in = Vin / Iin = Ve / Ie = Ie (r 'e || r_E.) / Ie = r 'e || r_E.

通常,R_E.比r 'e大得多。

如果R._E.>> r，然后Rin≈r r。

这意味着公共基础放大器的输入电阻通常非常低。

输出电阻

输出电阻是临时等效于电流的临时等同于俯瞰放大器的公共基本放大器的输出。AC收集器电阻R'C与R平行_C它通常比r大得多_C。

因此，Rout≈R_C

结论

共基极放大器比共发射极放大器使用得少。它被用来提供电压增益而没有任何电流增益。在一些高频应用中，它被用作电压放大器或缓冲器。

基于上述分析，我们可以通过以下围绕公共基本放大器结束。

• 它具有相对高的电压增益。
• 电流增益小于或有时大约等于1。
• 输入阻抗低。
• 输出阻抗很高。